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| Artikel-Nr.:
822EL-9140227 Herst.-Nr.:
IPP50R190CEXKSA1 EAN/GTIN:
5059043267517 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 18,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 550 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 127 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 15.95mm
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 18,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 550 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 190 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 127 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 15.95mm |
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| Weitere Suchbegriffe: to-220 mosfet, 9140227, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPP50R190CEXKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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