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| Artikel-Nr.:
822EL-9158830 Herst.-Nr.:
C3M0065090J EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 35 A
Drain-Source-Spannung max. = 900 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 78 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.1V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.8V
Verlustleistung max. = 113 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = –55 °CV
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed. Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ und C3M™ Eine Serie von SiC-MOSFETs der zweiten Generation des Geschäftsbereichs Wolfspeed von Cree, die branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bietet. Diese Geräte mit niedriger Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und weisen verringerte Kühlanforderungen auf; dadurch wird die Gesamtbetriebseffizienz des Systems verbessert. Anreicherungstyp-N-Kanal-SiC-Technologie Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand Latch-Up-resistenter Betrieb Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 35 A | Drain-Source-Spannung max.: | 900 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 7 | Drain-Source-Widerstand max.: | 78 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.8V | Verlustleistung max.: | 113 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | +25 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °CV |
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| Weitere Suchbegriffe: 9158830, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Wolfspeed, C3M0065090J, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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