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| Artikel-Nr.: 822EL-9194744 Herst.-Nr.: IRLML5103TRPBF EAN/GTIN: 5059043006642 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 760 mA Drain-Source-Spannung max. = 30 V Serie = HEXFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 600 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 1V Gate-Schwellenspannung min. = 1V Verlustleistung max. = 540 mW Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm Betriebstemperatur min. = –55 °Cmm
P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können. Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 760 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Serie: | HEXFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 600 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 540 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °Cmm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet sot-23, 9194744, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRLML5103TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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