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| Artikel-Nr.:
822EL-9208789 Herst.-Nr.:
STP55NF06 EAN/GTIN:
5059042253450 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Serie = STripFET II
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 18 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 110 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = –55 °Cmm
N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 50 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Serie: | STripFET II | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 18 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 110 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 50a, 9208789, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STP55NF06, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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