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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0,105A; Idm: 0,8A; 0,37W; SOT23


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0,105A; Idm: 0,8A; 0,37W; SOT23
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0,105A; Idm: 0,8A; 0,37W; SOT23
Artikel-Nr.:
     8WUGW-2N7002Q-7-F
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     2N7002Q-7-F
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 0,105A
Widerstand im Leitungszustand: 7,5Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Anwendung: Automobilbranche
Verlustleistung: 0,37W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 0,8A
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