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Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-2SC0108T2F1-17
Hersteller:
     Power Integrations
Herst.-Nr.:
     2SC0108T2F1-17
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: POWER INTEGRATIONS
Montage: Stiftleiste
Betriebstemperatur: -40...85°C
Versorgungsspannung: 14,5...15,5V DC
Frequenz: 50kHz
Ausgangsstrom: 8A
Ausgangs-Art: Steuerung IGBT
Eigenschafte integrierter Schaltkreise: galvanische Trennung;integrierter DC/DC Wandler
Modul-Typ: gate driver board
Technologie: SCALE™-2+
Topologie: IGBT Halbbrücke;MOSFET Halbbrücke
Spannungsklasse: 1,7kV
Weitere Suchbegriffe: Transistor, igbt module
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