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Transistor: N-JFET; unipolar; 14mA; 0,15W; SC59; Igt: 10mA


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Produktinformationen
Transistor: N-JFET; unipolar; 14mA; 0,15W; SC59; Igt: 10mA
Transistor: N-JFET; unipolar; 14mA; 0,15W; SC59; Igt: 10mA
Artikel-Nr.:
     8WUGW-2SK209
Hersteller:
     Toshiba
Herst.-Nr.:
     2SK209-BL(TE85L,F)
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Jfet
Junction-FET
Junktion-FET
SMD-Transistor
Hersteller: TOSHIBA
Montage: SMD
Gehäuse: SC59
Gatestrom: 10mA
Drainstrom: 14mA
Transistor-Typ: N-JFET
Verlustleistung: 0,15W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Source Spannung: -50V
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