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Transistor: IGBT; 650V; 53,5A; 136W; TO247-3; H5


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Produktinformationen
Transistor: IGBT; 650V; 53,5A; 136W; TO247-3; H5
Transistor: IGBT; 650V; 53,5A; 136W; TO247-3; H5
Artikel-Nr.:
     8WUGW-AIKW50N65DH5XKSA1
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     AIKW50N65DH5XKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 53,5A
Kollektorstrom im Impuls: 150A
Anschaltzeit: 22ns
Ausschaltzeit: 256ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 136W
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: integrated anti-parallel diode
Gate-Ladung: 116nC
Herstellerserie: H5
Technologie: TRENCHSTOP™ 5
Weitere Suchbegriffe: igbt
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