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Transistor: IGBT; 600V; 60A; 167W; TO247; EAus: 0,73mJ; EEin: 3,1mJ


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Produktinformationen
Transistor: IGBT; 600V; 60A; 167W; TO247; EAus: 0,73mJ; EEin: 3,1mJ
Transistor: IGBT; 600V; 60A; 167W; TO247; EAus: 0,73mJ; EEin: 3,1mJ
Artikel-Nr.:
     8WUGW-AOK60B60D1
Hersteller:
     Alpha & Omega Semiconductor
Herst.-Nr.:
     AOK60B60D1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Gehäuse: TO247
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Sättigungsspannung Kol.-Emitt.: 1,85V
Kollektor-Emitter-Strom: 60A
Kollektorstrom im Impuls: 210A
Anschaltzeit: 109ns
Ausschaltzeit: 105ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 167W
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 75nC
Einschaltenergie: 3,1mJ
Ausschaltenergie: 0,73mJ
Die Konditionen im Überblick1
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