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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 27A; 1135W; T-Max


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Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-APT26F120B2
Hersteller:
     Microchip Technology
Herst.-Nr.:
     APT26F120B2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Montage: THT
Gehäuse: T-Max
Drain-Source Spannung: 1,2kV
Drainstrom: 27A
Widerstand im Leitungszustand: 0,58Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1135W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 300nC
Technologie: POWER MOS 8®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Weitere Suchbegriffe: mosfet
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