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IC: DRAM Speicher; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3,3V; 166MHz; 5,4ns; Tray


Menge:  Stück  
Produktinformationen
IC: DRAM Speicher; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3,3V; 166MHz; 5,4ns; Tray
IC: DRAM Speicher; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3,3V; 166MHz; 5,4ns; Tray
Artikel-Nr.:
     8WUGW-AS4C16M16SA-6TCN
Hersteller:
     Alliance Memory
Herst.-Nr.:
     AS4C16M16SA-6TCN
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
DRAM Chip
SDRAM Chip
SDRAM IC
dram chip
Hersteller: ALLIANCE MEMORY
Montage: SMD
Betriebstemperatur: 0...70°C
Gehäuse: TSOP54 II
Betriebsspannung: 3,3V
Integrierten Schaltkreises-Typ: DRAM Speicher
Speicher-Art: SDRAM
Speicherorganisation: 16Mx16bit
Zugriffszeit: 5,4ns
Taktfrequenz: 166MHz
Verpackungs-Art: Tray
Schnittstelenart: parallel
Speicher: 256Mb DRAM
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