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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0,09A; 1W; SOT89


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Produktinformationen:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0,09A; 1W; SOT89
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0,09A; 1W; SOT89
Artikel-Nr.:
     8WUGW-BSS225H6327FTSA1
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     BSS225H6327FTSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: SOT89
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 0,09A
Widerstand im Leitungszustand: 45Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1W
Polarisierung: unipolar
Einheitspreis: Nein
#Werbeaktionen: aac_202202
Technologie: SIPMOS™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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