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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6,9A; Idm: 39A; 18,8W


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-BUK6D81-80EX
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     BUK6D81-80EX
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: DFN6;SOT1220
Drain-Source Spannung: 80V
Drainstrom: 6,9A
Widerstand im Leitungszustand: 197mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Anwendung: Automobilbranche
Verlustleistung: 18,8W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 14,9nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 39A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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