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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 63A; Idm: 354A; 195W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-BUK7Y9R9-80EX
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     BUK7Y9R9-80EX
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Drain-Source Spannung: 80V
Drainstrom: 63A
Widerstand im Leitungszustand: 24,9mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Anwendung: Automobilbranche
Verlustleistung: 195W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 51,6nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 354A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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