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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 67A; Idm: 383A; 157W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-BUK9609-40B.118
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     BUK9609-40B,118
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK;SOT404
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 67A
Widerstand im Leitungszustand: 17,1mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Anwendung: Automobilbranche
Verlustleistung: 157W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 32nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±15V
Drainstrom im Impuls: 383A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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