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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 30A; Idm: 211A; 53W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-BUK9K8R7-40EX
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     BUK9K8R7-40EX
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: LFPAK33;SOT1210
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 30A
Widerstand im Leitungszustand: 18,9mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Anwendung: Automobilbranche
Verlustleistung: 53W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 15,7nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±10V
Drainstrom im Impuls: 211A
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.