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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45,5A; Idm: 258A; 75W


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-BUK9M9R1-40EX
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     BUK9M9R1-40EX
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: LFPAK33;SOT1210
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 45,5A
Widerstand im Leitungszustand: 18,1mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Anwendung: Automobilbranche
Verlustleistung: 75W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 16,2nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±10V
Drainstrom im Impuls: 258A
Weitere Suchbegriffe: mosfet
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