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IC: driver; high-/low-side,Steuerung für Gates; SO16; -2,5÷2,5A


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-DGD2113S16-13
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DGD2113S16-13
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Betriebstemperatur: -40...125°C
Gehäuse: SO16
Versorgungsspannung: 3,3...20V
Ausgangsstrom: -2,5...2,5A
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver
Impulsanstiegszeit: 35ns
Impulsabfallzeit: 25ns
Anzahl Kanäle: 1
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Integrierten Schaltkreises-Art: high-/low-side;Steuerung für Gates
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