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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4,2A; Idm: 31A; 1,12W; SOT26


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-DMG6402LDM-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMG6402LDM-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: SOT26
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 4,2A
Widerstand im Leitungszustand: 40mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,12W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 9,2nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 31A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor
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