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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2,1A; Idm: 11,2A; 1,7W; TSOT26


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-DMN10H170SVT-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN10H170SVT-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: TSOT26
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 2,1A
Widerstand im Leitungszustand: 0,2Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,7W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 9,7nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 11,2A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor
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