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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2,5W; SO8


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2,5W; SO8
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2,5W; SO8
Artikel-Nr.:
     8WUGW-DMN3007LSS-13
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN3007LSS-13
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 13A
Widerstand im Leitungszustand: 10mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 2,5W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 64,2nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 64A
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