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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 90A; 2,4W


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-DMN3010LFG-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN3010LFG-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: PowerDI3333-8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 11A
Widerstand im Leitungszustand: 10,5mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 2,4W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 37nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 90A
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