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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2,6A; Idm: -13A; 1,1W


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-DMP1100UCB4-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMP1100UCB4-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
diodes mosfet
mosfet
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: X2-WLB0808-4
Drain-Source Spannung: -12V
Drainstrom: -2,6A
Widerstand im Leitungszustand: 0,4Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 1,1W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 14nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±8V
Drainstrom im Impuls: -13A
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