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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 55A; Idm: 90A; 2,3W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-DMT2004UFV-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMT2004UFV-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: PowerDI3333-8
Drain-Source Spannung: 24V
Drainstrom: 55A
Widerstand im Leitungszustand: 10mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 2,3W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 53,7nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±12V
Drainstrom im Impuls: 90A
Die Konditionen im Überblick1
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