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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8,1A; Idm: 180A; 3,1W


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-DMTH4014LFVWQ-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMTH4014LFVWQ-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: PowerDI3333-8
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 8,1A
Widerstand im Leitungszustand: 26mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Anwendung: Automobilbranche
Verlustleistung: 3,1W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 11,2nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 180A
Weitere Suchbegriffe: diodes mosfet, mosfet
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