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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 3,9W; TO252


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 3,9W; TO252
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 3,9W; TO252
Artikel-Nr.:
     8WUGW-DMTH6004SK3Q-13
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMTH6004SK3Q-13
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: TO252
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 100A
Widerstand im Leitungszustand: 3,8mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Anwendung: Automobilbranche
Verlustleistung: 3,9W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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