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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2,9A; 54W; DPAK


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2,9A; 54W; DPAK
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2,9A; 54W; DPAK
Artikel-Nr.:
     8WUGW-FCD5N60TM
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FCD5N60TM
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: DPAK
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 2,9A
Widerstand im Leitungszustand: 0,95Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 54W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 16nC
Technologie: SuperFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
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