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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Artikel-Nr.:
     8WUGW-FCP20N60
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FCP20N60
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 20A
Widerstand im Leitungszustand: 0,19Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 208W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 98nC
Technologie: SuperFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Weitere Suchbegriffe: mosfet
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