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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; 1,47kW

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Produktinformationen

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; 1,47kW

Artikel-Nr.:
8WUGW-FD300R12KE3

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
FD300R12KE3HOSA1

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Gehäuse: AG-62MM-1
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 300A
Kollektorstrom im Impuls: 600A
Anwendung: Wechselrichter
Verlustleistung: 1,47kW
Einheitspreis: Nein
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
#Werbeaktionen: aac_202202
Topologie: boost chopper

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Weitere Suchbegriffe: igbt module

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