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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1,6W; SuperSOT-6


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Produktinformationen
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1,6W; SuperSOT-6
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1,6W; SuperSOT-6
Artikel-Nr.:
     8WUGW-FDC606P
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDC606P
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: SuperSOT-6
Drain-Source Spannung: -12V
Drainstrom: -6A
Widerstand im Leitungszustand: 53mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 1,6W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 25nC
Technologie: PowerTrench®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±8V
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