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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3,3A; Idm: 20A; 2,4W; MicroFET


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-FDMA86151L
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDMA86151L
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: MicroFET
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 3,3A
Widerstand im Leitungszustand: 0,15Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 2,4W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 7,3nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 20A
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