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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; Idm: 617A; 187W; Power56


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-FDMS86150ET100
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDMS86150ET100
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: Power56
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 90A
Widerstand im Leitungszustand: 9,1mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 187W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 62nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 617A
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.