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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12,5A; Idm: 91A; 2,5W; SO8


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12,5A; Idm: 91A; 2,5W; SO8
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12,5A; Idm: 91A; 2,5W; SO8
Artikel-Nr.:
     8WUGW-FDS8876
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDS8876
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 12,5A
Widerstand im Leitungszustand: 14,1mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 2,5W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 36nC
Technologie: PowerTrench®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 91A
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.