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Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3

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Produktinformationen

Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3

Artikel-Nr.:
8WUGW-FGH40N60UFDTU

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
FGH40N60UFDTU

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Diode
IGBT
Schalttransistor
Transistor

Hersteller: ONSEMI
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 40A
Kollektorstrom im Impuls: 120A
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 116W
Verpackungs-Art: Tube
Einheitspreis: Nein
Eigenschaften von Halbleiterelementen: integrated anti-parallel diode
Gate-Ladung: 0,12µC
#Werbeaktionen: aac_202202

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