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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15,6A; 125W; D2PAK


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Produktinformationen
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15,6A; 125W; D2PAK
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15,6A; 125W; D2PAK
Artikel-Nr.:
     8WUGW-FQB22P10TM
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FQB22P10TM
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK
Drain-Source Spannung: -100V
Drainstrom: -15,6A
Widerstand im Leitungszustand: 0,125Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 125W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 50nC
#Werbeaktionen: aac_202202
Technologie: QFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
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