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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5,7A; Idm: 36A; 55W; DPAK


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5,7A; Idm: 36A; 55W; DPAK
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5,7A; Idm: 36A; 55W; DPAK
Artikel-Nr.:
     8WUGW-FQD12N20LTM-F085
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FQD12N20LTM-F085
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: DPAK
Drain-Source Spannung: 200V
Drainstrom: 5,7A
Widerstand im Leitungszustand: 0,28Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Anwendung: Automobilbranche
Verlustleistung: 55W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 21nC
Technologie: QFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 36A
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