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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7,6A; 44W; DPAK


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Produktinformationen
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7,6A; 44W; DPAK
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7,6A; 44W; DPAK
Artikel-Nr.:
     8WUGW-FQD17P06TM
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FQD17P06TM
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: DPAK
Drain-Source Spannung: -60V
Drainstrom: -7,6A
Widerstand im Leitungszustand: 135mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 44W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 27nC
Technologie: QFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
Weitere Suchbegriffe: mosfet 60v
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