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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1,33A; Idm: -8,4A; 50W; DPAK


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Produktinformationen
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1,33A; Idm: -8,4A; 50W; DPAK
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1,33A; Idm: -8,4A; 50W; DPAK
Artikel-Nr.:
     8WUGW-FQD3P50TM-F085
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FQD3P50TM-F085
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: DPAK
Drain-Source Spannung: -500V
Drainstrom: -1,33A
Widerstand im Leitungszustand: 4,9Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET
Anwendung: Automobilbranche
Verlustleistung: 50W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 23nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: -8,4A
Weitere Suchbegriffe: mosfet 500v
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