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Transistor: IGBT; 600V; 11A; 45W; TO220FP


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Produktinformationen
Transistor: IGBT; 600V; 11A; 45W; TO220FP
Transistor: IGBT; 600V; 11A; 45W; TO220FP
Artikel-Nr.:
     8WUGW-GT20J341
Hersteller:
     Toshiba
Herst.-Nr.:
     GT20J341,S4X(S
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt toshiba
Hersteller: TOSHIBA
Montage: THT
Gehäuse: TO220FP
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Gate - Emitter Spannung: ±25V
Kollektor-Emitter-Strom: 11A
Kollektorstrom im Impuls: 80A
Anschaltzeit: 0,2µs
Ausschaltzeit: 370ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 45W
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: integrated anti-parallel diode
Weitere Suchbegriffe: igbt
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