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Transistor: IGBT; 600V; 49A; 230W; TO3PN


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Produktinformationen
Transistor: IGBT; 600V; 49A; 230W; TO3PN
Transistor: IGBT; 600V; 49A; 230W; TO3PN
Artikel-Nr.:
     8WUGW-GT50JR21
Hersteller:
     Toshiba
Herst.-Nr.:
     GT50JR21(STA1,E,S)
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt toshiba
Hersteller: TOSHIBA
Montage: THT
Gehäuse: TO3PN
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Gate - Emitter Spannung: ±25V
Kollektor-Emitter-Strom: 49A
Kollektorstrom im Impuls: 100A
Anschaltzeit: 430ns
Ausschaltzeit: 720ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 230W
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: integrated anti-parallel diode
Weitere Suchbegriffe: igbt
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