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Transistor: NPN x6; bipolar; RF; 8V; 30mA; 250mW; SO14


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-HFA3102BZ
Hersteller:
     Renesas
Herst.-Nr.:
     HFA3102BZ
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Transistor Array
Hersteller: RENESAS
Montage: SMD
Gehäuse: SO14
Frequenz: 10GHz
Kollektor-Emitter-Spannung: 8V
Transistorverstärkung: 70
Kollektor-Emitter-Strom: 30mA
Transistor-Typ: NPN x6
Verlustleistung: 0,25W
Polarisierung: bipolar
Eigenschaften von Halbleiterelementen: dual long-tailed pair transistor array
Transistor-Art: RF
Weitere Suchbegriffe: smd-transistor npn, smd transistor
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