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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-HFGM200D12V3-HUA
Hersteller:
     HUAJING
Herst.-Nr.:
     HFGM200D12V3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
UPS
Hersteller: HUAJING
Gehäuse: V3 62MM
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±30V
Kollektor-Emitter-Strom: 200A
Kollektorstrom im Impuls: 400A
Anwendung: für UPS;Wechselrichter
Einheitspreis: Nein
Elektrische Montage: schraubbar;Steckverbinder FASTON
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Technologie: PT
Topologie: IGBT Halbbrücke
Die Konditionen im Überblick1
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