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Transistor: IGBT; 1,1kV; 30A; 166W; TO247-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: IGBT; 1,1kV; 30A; 166W; TO247-3
Transistor: IGBT; 1,1kV; 30A; 166W; TO247-3
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IHW30N110R3
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IHW30N110R3FKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Kollektor-Emitter-Spannung: 1,1kV
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 30A
Kollektorstrom im Impuls: 90A
Ausschaltzeit: 470ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 166W
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate-Ladung: 180nC
Technologie: TRENCHSTOP™
Weitere Suchbegriffe: igbt
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