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Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62,5W; D2PAK


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Produktinformationen
Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62,5W; D2PAK
Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62,5W; D2PAK
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IKB20N65EH5ATMA1
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IKB20N65EH5ATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 25A
Kollektorstrom im Impuls: 60A
Anschaltzeit: 40ns
Ausschaltzeit: 183ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 62,5W
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: integrated anti-parallel diode
Gate-Ladung: 48nC
Technologie: TRENCHSTOP™ 5
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