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Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3


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Produktinformationen
Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IKW50N60H3
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IKW50N60H3FKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 50A
Kollektorstrom im Impuls: 200A
Anschaltzeit: 54ns
Ausschaltzeit: 297ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 167W
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: integrated anti-parallel diode
Gate-Ladung: 315nC
Herstellerserie: H3
Technologie: TRENCHSTOP™ 3
Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247
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