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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 156A; 33W; TO220FP


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 156A; 33W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 156A; 33W; TO220FP
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IPA126N10NM3SXKSA1
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPA126N10NM3SXKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: THT
Gehäuse: TO220FP
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 28A
Widerstand im Leitungszustand: 12,6mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 33W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Technologie: OptiMOS™ 3
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 156A
Weitere Suchbegriffe: mosfet infineon, mosfet
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