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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 180A; 300W; PG-TO263-3

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Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 180A; 300W; PG-TO263-3

Artikel-Nr.:
8WUGW-IPB036N12N3GATMA1

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IPB036N12N3GATMA1

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PG-TO263-3
Drain-Source Spannung: 120V
Drainstrom: 180A
Widerstand im Leitungszustand: 3,6mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 300W
Polarisierung: unipolar
Technologie: OptiMOS™ 3
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V

... > FET-Transistoren > N-Kanal-Transistoren > N-Kanal-Transistoren SMD

Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, smd transistor

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