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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9,5A; 208W; PG-TO263-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9,5A; 208W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9,5A; 208W; PG-TO263-3
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IPB90R340C3ATMA1
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPB90R340C3ATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PG-TO263-3
Drain-Source Spannung: 900V
Drainstrom: 9,5A
Widerstand im Leitungszustand: 0,34Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 208W
Polarisierung: unipolar
Technologie: CoolMOS™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Die Konditionen im Überblick1
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