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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 100W; PG-TDSON-8


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 100W; PG-TDSON-8
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 100W; PG-TDSON-8
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IPC100N04S51R9
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPC100N04S5-1R9
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PG-TDSON-8
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 100A
Widerstand im Leitungszustand: 1,9mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 100W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 65nC
Technologie: OptiMOS™ 5
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Die Konditionen im Überblick1
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