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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8,7A; 83,3W; PG-TO252-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8,7A; 83,3W; PG-TO252-3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8,7A; 83,3W; PG-TO252-3
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IPD65R420CFDBTMA1
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPD65R420CFDBTMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PG-TO252-3
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 8,7A
Widerstand im Leitungszustand: 0,42Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 83,3W
Polarisierung: unipolar
Technologie: CoolMOS™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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